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BFP 460 H6327产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS RF NPN 4.5V 70MA SOT343射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 460 H6327- |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp460.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef6801142682dcdb062f |
产品型号 | BFP 460 H6327 |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 20mA,3V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | PG-SOT343-4 |
其它名称 | BFP 460 H6327-ND |
功率-最大值 | 230mW |
功率耗散 | 230 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 1.5 V |
商标 | Infineon Technologies |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz |
增益 | 12.5dB ~ 26.5dB |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
封装/箱体 | SOT-343 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 5.8V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 70mA |
类型 | RF Bipolar Small Signal |
系列 | BFP460 |
配置 | Single Dual Emitter |
集电极—发射极最大电压VCEO | 4.5 V |
集电极连续电流 | 70 mA |
零件号别名 | BFP460H6327XTSA1 SP000745276 |
频率-跃迁 | 22GHz |